उत्पत्ति के प्लेस: | चीन |
ब्रांड नाम: | Upperbond |
प्रमाणन: | CE, ISO |
मॉडल संख्या: | निर्माता |
न्यूनतम आदेश मात्रा: | 2 पीसी |
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मूल्य: | Negotiable |
पैकेजिंग विवरण: | दफ़्ती |
प्रसव के समय: | 5-8 दिन |
भुगतान शर्तें: | टी / टी, वेस्टर्न यूनियन, मनीग्राम, पेपैल |
आपूर्ति की क्षमता: | 10000 पीसी / महीना |
अन्य मॉडल: | स्कोडा, सीएमई, सासिब | आवेदन: | गोंद लगाना |
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सिगरेट का आकार: | राजा आकार / सुपर स्लिम / नैनो | नमूना: | केवल जब आरोप लगाया |
कठोरता: | अच्छी तरह परिष्कृत | समुद्री यातायात: | केवल बड़े आदेशों के साथ |
हाई लाइट: | नैनो सिलिकॉन ट्रांजिस्टर,सिगरेट मशीन पार्ट्स ट्रांजिस्टर |
Sasib 3000 नैनो सिलिकॉन ट्रांजिस्टर D2PAK इलेक्ट्रिक सिगरेट मशीन पार्ट्स
एक ट्रांजिस्टर एक अर्धचालक उपकरण है जिसका उपयोग इलेक्ट्रॉनिक संकेतों और विद्युत शक्ति को बढ़ाने या स्विच करने के लिए किया जाता है।ट्रांजिस्टर आधुनिक इलेक्ट्रॉनिक्स के बुनियादी निर्माण खंडों में से एक हैं।यह अर्धचालक सामग्री से बना होता है जिसमें आमतौर पर बाहरी सर्किट से जुड़ने के लिए कम से कम तीन टर्मिनल होते हैं।
1. महत्व
व्यावहारिक रूप से सभी आधुनिक इलेक्ट्रॉनिक्स में ट्रांजिस्टर प्रमुख सक्रिय घटक हैं।इस प्रकार कई लोग ट्रांजिस्टर को २०वीं शताब्दी के महानतम आविष्कारों में से एक मानते हैं।
बेल लैब्स में पहले ट्रांजिस्टर के आविष्कार को 2009 में IEEE माइलस्टोन नाम दिया गया था। IEEE माइलस्टोन की सूची में 1948 में जंक्शन ट्रांजिस्टर और 1959 में MOSFET के आविष्कार भी शामिल हैं।
1. सीएमओएस
CMOS (पूरक MOS) का आविष्कार चिह-तांग साह और फ्रैंक वानलास ने 1963 में फेयरचाइल्ड सेमीकंडक्टर में किया था। फ्लोटिंग-गेट MOSFET की पहली रिपोर्ट 1967 में डॉन कहंग और साइमन सेज़ द्वारा बनाई गई थी। एक डबल-गेट MOSFET का पहली बार प्रदर्शन किया गया था 1984 इलेक्ट्रोटेक्निकल प्रयोगशाला के शोधकर्ताओं तोशीहिरो सेकिगावा और युताका हयाशी द्वारा
1. मोसफेट
मेटल-ऑक्साइड-सेमीकंडक्टर फील्ड-इफेक्ट ट्रांजिस्टर (MOSFET), जिसे MOS ट्रांजिस्टर के रूप में भी जाना जाता है, का आविष्कार मोहम्मद अटाला और डॉन कहंग ने 1959 में किया था। MOSFET पहला सही मायने में कॉम्पैक्ट ट्रांजिस्टर था जिसे छोटा और बड़े पैमाने पर उत्पादित किया जा सकता था। उपयोग की विस्तृत श्रृंखला।इसकी उच्च मापनीयता, और द्विध्रुवीय जंक्शन ट्रांजिस्टर की तुलना में बहुत कम बिजली की खपत और उच्च घनत्व के साथ, MOSFET ने उच्च-घनत्व वाले एकीकृत सर्किट का निर्माण करना संभव बना दिया, जिससे एक एकल IC में 10,000 से अधिक ट्रांजिस्टर के एकीकरण की अनुमति मिली।
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