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| ब्रांड नाम: | Upperbond |
| मॉडल संख्या: | Maker |
| एमओक्यू: | 2 pcs |
| कीमत: | विनिमय योग्य |
| प्रसव का समय: | 5-8 days |
| भुगतान की शर्तें: | टी/टी, वेस्टर्न यूनियन, मनीग्राम, पेपैल |
क्वीन साइज गारंट क्रेटेक स्विच Irfz44nl प्रोटोस सिगरेट मशीन स्पेयर पार्ट्स
एक ट्रांजिस्टर एक अर्धचालक उपकरण है जिसका उपयोग इलेक्ट्रॉनिक संकेतों और विद्युत शक्ति को बढ़ाने या स्विच करने के लिए किया जाता है।ट्रांजिस्टर आधुनिक इलेक्ट्रॉनिक्स के बुनियादी निर्माण खंडों में से एक हैं।यह अर्धचालक सामग्री से बना होता है जिसमें आमतौर पर बाहरी सर्किट से जुड़ने के लिए कम से कम तीन टर्मिनल होते हैं।
तंत्र
ट्रांजिस्टर के टर्मिनलों के एक जोड़े पर लगाया जाने वाला वोल्टेज या करंट दूसरे जोड़े के टर्मिनलों के माध्यम से करंट को नियंत्रित करता है।क्योंकि नियंत्रित (आउटपुट) शक्ति नियंत्रण (इनपुट) शक्ति से अधिक हो सकती है, एक ट्रांजिस्टर एक संकेत को बढ़ा सकता है।आज, कुछ ट्रांजिस्टर व्यक्तिगत रूप से पैक किए जाते हैं, लेकिन कई और एकीकृत सर्किट में एम्बेडेड पाए जाते हैं।
वोल्टेज घटाव
छवि एक सर्किट में एक विशिष्ट द्विध्रुवी ट्रांजिस्टर का प्रतिनिधित्व करती है।बेस में करंट के आधार पर एमिटर और कलेक्टर टर्मिनलों के बीच एक चार्ज प्रवाहित होगा।क्योंकि आंतरिक रूप से बेस और एमिटर कनेक्शन सेमीकंडक्टर डायोड की तरह व्यवहार करते हैं, बेस और एमिटर के बीच एक वोल्टेज ड्रॉप विकसित होता है जबकि बेस करंट मौजूद होता है।इस वोल्टेज की मात्रा उस सामग्री पर निर्भर करती है जिससे ट्रांजिस्टर बनाया जाता है और इसे वीबीई कहा जाता है।
सीएमओएस
CMOS (पूरक एमओएस) का आविष्कार चिह-तांग साह और फ्रैंक वानलास ने 1963 में फेयरचाइल्ड सेमीकंडक्टर में किया था। फ्लोटिंग-गेट MOSFET की पहली रिपोर्ट 1967 में डॉन कांग और साइमन सेज़ द्वारा बनाई गई थी। एक डबल-गेट MOSFET का पहली बार प्रदर्शन किया गया था 1984 इलेक्ट्रोटेक्निकल लेबोरेटरी के शोधकर्ताओं तोशीहिरो सेकिगावा और युताका हयाशी द्वारा
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| ब्रांड नाम: | Upperbond |
| मॉडल संख्या: | Maker |
| एमओक्यू: | 2 pcs |
| कीमत: | विनिमय योग्य |
| पैकेजिंग विवरण: | दफ़्ती |
| भुगतान की शर्तें: | टी/टी, वेस्टर्न यूनियन, मनीग्राम, पेपैल |
क्वीन साइज गारंट क्रेटेक स्विच Irfz44nl प्रोटोस सिगरेट मशीन स्पेयर पार्ट्स
एक ट्रांजिस्टर एक अर्धचालक उपकरण है जिसका उपयोग इलेक्ट्रॉनिक संकेतों और विद्युत शक्ति को बढ़ाने या स्विच करने के लिए किया जाता है।ट्रांजिस्टर आधुनिक इलेक्ट्रॉनिक्स के बुनियादी निर्माण खंडों में से एक हैं।यह अर्धचालक सामग्री से बना होता है जिसमें आमतौर पर बाहरी सर्किट से जुड़ने के लिए कम से कम तीन टर्मिनल होते हैं।
तंत्र
ट्रांजिस्टर के टर्मिनलों के एक जोड़े पर लगाया जाने वाला वोल्टेज या करंट दूसरे जोड़े के टर्मिनलों के माध्यम से करंट को नियंत्रित करता है।क्योंकि नियंत्रित (आउटपुट) शक्ति नियंत्रण (इनपुट) शक्ति से अधिक हो सकती है, एक ट्रांजिस्टर एक संकेत को बढ़ा सकता है।आज, कुछ ट्रांजिस्टर व्यक्तिगत रूप से पैक किए जाते हैं, लेकिन कई और एकीकृत सर्किट में एम्बेडेड पाए जाते हैं।
वोल्टेज घटाव
छवि एक सर्किट में एक विशिष्ट द्विध्रुवी ट्रांजिस्टर का प्रतिनिधित्व करती है।बेस में करंट के आधार पर एमिटर और कलेक्टर टर्मिनलों के बीच एक चार्ज प्रवाहित होगा।क्योंकि आंतरिक रूप से बेस और एमिटर कनेक्शन सेमीकंडक्टर डायोड की तरह व्यवहार करते हैं, बेस और एमिटर के बीच एक वोल्टेज ड्रॉप विकसित होता है जबकि बेस करंट मौजूद होता है।इस वोल्टेज की मात्रा उस सामग्री पर निर्भर करती है जिससे ट्रांजिस्टर बनाया जाता है और इसे वीबीई कहा जाता है।
सीएमओएस
CMOS (पूरक एमओएस) का आविष्कार चिह-तांग साह और फ्रैंक वानलास ने 1963 में फेयरचाइल्ड सेमीकंडक्टर में किया था। फ्लोटिंग-गेट MOSFET की पहली रिपोर्ट 1967 में डॉन कांग और साइमन सेज़ द्वारा बनाई गई थी। एक डबल-गेट MOSFET का पहली बार प्रदर्शन किया गया था 1984 इलेक्ट्रोटेक्निकल लेबोरेटरी के शोधकर्ताओं तोशीहिरो सेकिगावा और युताका हयाशी द्वारा
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